高纯气路输送管路如何避免微粒污染

岁月

　　随着微电子工业的发展，超大规模集成电路制造的硅片尺寸越做越大，要求半导体制造工艺中的气体品质相应越来越高，对气体中杂质和露点要求极为严格，需要达到ppb、ppt级，尘埃粒径求控制小于0.1～0.05m的微粒，因此对高纯气体的输送管路系统提出了非常高的要求 。那么高纯气路输送管路如何避免微粒污染，下面就来为大家进行介绍。

　　工艺气体中的杂质( 02、H202、 C02、 C0，等)，由于在半导体制造工艺中形成氧化膜而导致质量下降。而气体中含有的微粒，几乎在半导体制造的整个过程中都有影响。在热处理工序中，碱金属微粒使氧化膜和硅的界面特性产生异常，引起耐压性差或电气特性劣化 。

　　另外，在高温处理中，重金属微粒向硅的内部侵入扩散，诱发结晶缺陷，是导致半导体器件特性裂化的原因。另外，在腐蚀工序中，微粒附着在硅片上，是导致接触部分和周围的腐蚀加工精度降低 的原因。因此高纯气体中含尘量比其纯度在一定意义上显得更为重要，控制微粒污染成为高纯气体输送管路的一个核心 内容。微粒污染源来自两个方面：一 是粘附在管壁上的微粒 ，二是因磨损或腐蚀 等原因管壁产生的微粒。

　　在配管系统上应分段设置过滤器来去除微粒，通常应采用两级以上的气体过滤。在洁净厂房内一般设置预过滤器和高精度末端气体过滤器，预过滤器是设在洁净厂房的气体入口室的气体干管上，对气体进行预过滤，以减轻末端气体过滤器的负担，并延长其使用寿命，高精度末端气体过滤器应设在邻近用气点处。

　　在系统设计中，应充分考虑系统末端的放散管，各主管和支干管末端的吹扫阀及必要的取样口，为运行前的吹扫、置换和维修带来方便，系统中应减少不流动气体的“死空间”，不应出现“盲管”等不易吹除的死角，以避免微粒的积聚。

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